特許
J-GLOBAL ID：200903021062887454

マスクパターンの形成方法、該マスクパターンを用いたパターニング方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法

発明者：
佐藤 慶一

佐藤 慶一 について

, 
上島 聡史

上島 聡史 について


出願人/特許権者：
TDK株式会社

TDK株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 恵一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-081180
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282405
出願日： 2002年03月22日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：
【要約】【課題】 レジスト層におけるインターミキシングや変形、剥離が起きず、より膜厚の大きなマスクパターンを提供できるマスクパターンの形成方法、このマスクパターンを用いた薄膜のパターニング方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】 基層上に第1のレジスト層を積層した後、第1のレジスト層をスルーホールのパターンを有する第1のパターンで露光し、露光した第1のレジスト層を現像してスルーホールの部分の第1のレジスト層を除去し、第1のレジスト層上及びスルーホールの部分の基層上に第2のレジスト層を積層した後、第2のレジスト層を第2のパターンで露光し、露光した第2のレジスト層及び第1のレジスト層を現像して第2のレジスト層の一部及び全ての第1のレジスト層を除去することにより、第2のレジスト層によるマスクパターンを形成する。
請求項（抜粋）：
基層上に第1のレジスト層を積層した後、該第1のレジスト層をスルーホールのパターンを有する第1のパターンで露光し、該露光した第1のレジスト層を現像して前記スルーホールの部分の前記第1のレジスト層を除去し、該第1のレジスト層上及び前記スルーホールの部分の前記基層上に第2のレジスト層を積層した後、該第2のレジスト層を第2のパターンで露光し、該露光した第2のレジスト層及び前記第1のレジスト層を現像して該第2のレジスト層の一部及び全ての前記第1のレジスト層を除去することにより、前記第2のレジスト層によるマスクパターンを形成することを特徴とするマスクパターンの形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 501 ,  G03F 7/40 501 ,  G03F 7/40 521 ,  G11B 5/31
FI (7件)：
G03F 7/20 501 ,  G03F 7/40 501 ,  G03F 7/40 521 ,  G11B 5/31 M ,  H01L 21/30 573 ,  H01L 21/30 564 Z ,  H01L 21/30 570
Fターム (23件)：
2H096AA24 ,  2H096BA09 ,  2H096HA01 ,  2H096HA27 ,  2H096KA03 ,  2H096LA30 ,  2H097BA06 ,  2H097FA06 ,  2H097JA03 ,  2H097JA04 ,  2H097LA20 ,  5D033DA07 ,  5D033DA31 ,  5F046AA20 ,  5F046JA27 ,  5F046LA18 ,  5F046NA01 ,  5F046NA04 ,  5F046NA05 ,  5F046NA08 ,  5F046NA12 ,  5F046NA13 ,  5F046NA15
引用特許：
審査官引用 (3件)

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