特許
J-GLOBAL ID：200903021144735482
スピン偏極電子発生素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池田 治幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-060673
公開番号（公開出願番号）：特開2008-198360
出願日： 2006年03月07日
公開日（公表日）： 2008年08月28日
要約：
【課題】高い量子効率QEが得られる偏極電子線発生素子を提供する。【解決手段】偏極電子線発生素子10の半導体基板12の一面上において、バッファ層15の格子定数αbufferが、その上に成長させられた半導体光電層16を構成する第1半導体層16aの格子定数α1 と第2半導体層16bの格子定数α2 との間の値とされていることから、それら第1半導体層16aおよび第2半導体層16bにおける引張および圧縮が交互になり、歪みが蓄積され難くなって格子欠陥の発生が減少するので、半導体光電層16を構成する第1半導体層16aおよび第2半導体層16bの積層回数を増加させることができ、高い量子効率QEが得られる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、該半導体基板の一面に結晶成長させられ該半導体基板とは異なる格子定数を有するバッファ層と、格子定数が互いに相違し且つ互いに隣接する第1半導体層および第2半導体層が交互に該バッファ層の上に複数対成長させられることにより構成されて価電子帯にバンドスプリッティングを有する半導体光電層とを備え、該半導体光電層に励起光が入射されることにより該半導体光電層からスピン方向が偏在しているスピン偏極電子を発生するスピン偏極電子発生素子であって、
前記バッファ層の格子定数は、前記第1半導体層の格子定数と前記第2半導体層の格子定数との間の値を有していることを特徴とするスピン偏極電子発生素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (2件)：
引用特許：
出願人引用 (1件)
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偏極電子線発生素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-257983
出願人：大同特殊鋼株式会社
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