特許
J-GLOBAL ID：200903021150033961
集積された低密度の誘電体を備えた相互接続構造体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-120214
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321206
出願日： 1995年05月18日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：
【要約】【目的】 隣接する導電体の間の静電容量が大幅に小さい半導体デバイスおよびその作成のための処理工程を提供する。【構成】 前記処理工程は、導電体の間に溶液を加える段階と、次にゲル化する段階と、表面変性する段階と、極めて多孔質な誘電体層を作成するために前記溶液を乾燥する段階と、を有する。この多孔質層の上に、非多孔質誘電体層を作成することができる。これで層間誘電体が完成し、そして機械的強度と、熱伝達性能と、貫通孔エッチングのための固体層とが得られる。多孔質誘電体層を作成するための新規な処理工程は、真空または雰囲気圧力の下で実行することができ、なおかつ、臨界超過圧力の下でゲルを乾燥することによってのみ従来得ることができる誘電体に比べて、良好な多孔度と、孔の寸法と、乾燥期間中の誘電体の縮小とが得られる。
請求項（抜粋）：
(イ) 基板の上に作成されかつ水平方向に隣接する第1導電体および第2導電体と、(ロ) 前記第1導電体と前記第2導電体との間に配置され、かつ前記導電体の高さの75%ないし150%の平均高さを有し、かつ30%ないし95%の範囲の多孔度を有し、かつ孔の平均直径が80nm以下である、多孔質誘電体と、(ハ) 前記第1導電体および前記第2導電体と前記多孔質誘電体との上に沈着され、かつ前記導電体の上から測って前記導電体の高さの少なくとも50%の高さを有し、それにより、同じレベルにある前記導電体の間の静電容量的結合が固体二酸化シリコン誘電体に比べて大幅に小さくかつ固体層間誘電体の機械的性質が事実上保持される、非多孔質誘電体層と、を有する半導体デバイス。
FI (3件)：
H01L 21/90 N
, H01L 21/90 V
, H01L 21/90 K
