特許
J-GLOBAL ID：200903021205306377

MOS型固体撮像装置およびその製造方法

発明者：
渡辺 慎也

渡辺 慎也 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-392455
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197889
出願日： 2001年12月25日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：
【要約】【課題】 簡単な工程および構成により、受光部の高画質化と周辺回路部の性能向上とを両立させることのできるMOS型固体撮像装置を提供する。【解決手段】 同一の基板11上に受光部10Aと周辺回路部10Bを形成する。受光部10Aの第1のMOSFET20Aのゲート電極17Aは多結晶シリコンの単層構造である。周辺回路部10Bの第2のMOSFET30Bのゲート電極17Bは、多結晶シリコンよりなる第1の層17B1と、例えばタングステンよりなる第2の層17B2との積層構造である。受光部10Aおよび周辺回路部10Bは絶縁膜22Aにより覆われ、絶縁膜22Aには接続孔23内に導電性接続層25が設けられている。第2の層17B2と導電性接続層25とは同一の材料により構成されている。第2の層17B2は、絶縁膜22Aの第1の層17B1に対応する位置に設けられた開口部23B内に形成される。
請求項（抜粋）：
基板上にマトリクス状に配置された複数の光電変換素子、ならびに、この複数の光電変換素子の各々に対応して設けられるとともに単層構造のゲート電極およびこのゲート電極に対応する一対の不純物領域を有する第1のMOS電界効果トランジスタを備えた受光部と、少なくとも第1の層および第2の層を含む積層構造のゲート電極ならびにこのゲート電極に対応する他の一対の不純物領域を有する第2のMOS電界効果トランジスタを備えるとともに前記基板上の前記受光部の周辺に形成される周辺回路部と、この周辺回路部および前記受光部を覆う絶縁膜と、この絶縁膜の所定の位置に設けられ前記絶縁膜を貫通する接続孔と、この接続孔内に形成されるとともに前記第2の層と同一の材料により構成された導電性接続層と、前記絶縁膜の前記第1の層に対応する位置に設けられ前記絶縁膜を貫通するとともに内部に前記第2の層が形成された開口部とを備えたことを特徴とするMOS型固体撮像装置。
IPC (10件)：
H01L 27/146 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/092 ,  H04N 5/335
FI (9件)：
H01L 21/28 301 A ,  H01L 21/28 301 R ,  H04N 5/335 E ,  H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 A ,  H01L 27/08 321 D ,  H01L 27/08 102 C ,  H01L 21/88 K ,  H01L 21/90 A
Fターム (84件)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104CC05 ,  4M104DD05 ,  4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD66 ,  4M104DD75 ,  4M104DD80 ,  4M104FF06 ,  4M104FF13 ,  4M104FF22 ,  4M104GG05 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104HH09 ,  4M104HH16 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118EA01 ,  4M118FA06 ,  4M118FA28 ,  4M118FA50 ,  4M118GC08 ,  4M118GD04 ,  5C024CX37 ,  5C024CY47 ,  5C024EX43 ,  5C024EX52 ,  5C024GY31 ,  5F033HH04 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033MM28 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN08 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ75 ,  5F033QQ82 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033VV06 ,  5F033XX10 ,  5F033XX14 ,  5F048AA01 ,  5F048AB10 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB13 ,  5F048BE04 ,  5F048BF03 ,  5F048BF07 ,  5F048BF12 ,  5F048BG12 ,  5F048BG14
引用特許：
審査官引用 (6件)
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