特許
J-GLOBAL ID:200903081935484524
光電変換装置およびその製造方法、画像情報処理装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
山下 穣平
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-232108
公開番号(公開出願番号):特開2001-111022
出願日: 2000年07月31日
公開日(公表日): 2001年04月20日
要約:
【要約】【課題】 光電変換部の特性を劣化させることなく、高速動作可能とする。【解決手段】 光電変換部41とその光電変換部からの信号を処理する周辺回路部42とが同一の半導体基板に配設された光電変換装置において、周辺回路部を形成するMOSトランジスタのソース・ドレイン上とゲート電極上には高融点金属の半導体化合物層30があり、光電変換部の受光部となる半導体拡散層上面が絶縁層29に接している。
請求項(抜粋):
光電変換部とその光電変換部からの信号を処理する周辺回路部とが同一の半導体基板に配設された光電変換装置において、前記周辺回路部を形成するMOSトランジスタのソース・ドレイン上とゲート電極上には高融点金属の半導体化合物層があり、前記光電変換部の受光部となる半導体拡散層上面が絶縁層に接していることを特徴とする光電変換装置。
IPC (6件):
H01L 27/146
, H01L 21/28 301
, H01L 21/8238
, H01L 27/092
, H01L 27/14
, H04N 5/335
FI (7件):
H01L 21/28 301 R
, H04N 5/335 U
, H04N 5/335 E
, H01L 27/14 A
, H01L 27/08 321 F
, H01L 27/08 321 Z
, H01L 27/14 D
引用特許:
審査官引用 (12件)
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光電変換装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-235886
出願人:キヤノン株式会社
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半導体装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-265358
出願人:松下電子工業株式会社
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特開昭60-001980
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