特許

J-GLOBAL ID：200903021225010040

薄膜の製造方法及びそれを用いた薄膜キャパシタの製造方法

発明者： 長谷 卓
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-245468
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077100
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】 安価な設備で良質な薄膜を再現性良く得られる成膜手法であるゾルゲル法を用いて、低温度で良質なPZT系薄膜キャパシタを作製する。【解決手段】 下部電極上にバッファ層を形成した後、バッファ層が熱分解される前に強誘電体薄膜材料を塗布し、バッファ層と強誘電体薄膜とを一括して熱分解した後、結晶化熱処理を行うことを特徴とする薄膜キャパシタの製造方法及び薄膜の製造方法である。強誘電体薄膜としてPZT薄膜を形成するときには、PbTiO3を主成分とするバッファ層を用い、結晶化熱処理温度は430°C〜500°Cが好ましい。さらに好ましくは、結晶化熱処理の前に上部電極層を形成し、結晶化熱処理を行うことで特性の優れたキャパシタを得ることができる。

請求項（抜粋）：

基板上にバッファ層を形成した後、バッファ層が熱分解される前に強誘電体薄膜材料を塗布し、バッファ層と強誘電体薄膜とを一括して熱分解した後、結晶化熱処理を行うことを特徴とする薄膜の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/316 ,  H01G 4/33 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (5件)：

H01L 21/316 G ,  H01L 27/10 451 ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651

Fターム (31件)：

5E082AB03 ,  5E082BB10 ,  5E082BC14 ,  5E082BC40 ,  5E082FG03 ,  5E082FG26 ,  5E082FG54 ,  5E082KK01 ,  5E082MM24 ,  5E082PP06 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BC04 ,  5F058BC20 ,  5F058BF46 ,  5F058BF80 ,  5F058BH01 ,  5F083FR01 ,  5F083GA29 ,  5F083JA15 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR34

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 強誘電体薄膜、誘電体薄膜及び強誘電体薄膜を含む集積回路の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-225251   出願人：シャープ株式会社
• セラミックス薄膜及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-021852   出願人：セイコーエプソン株式会社
• キャパシタを有する半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-207033   出願人：富士通株式会社