特許
J-GLOBAL ID：200903018557045327
セラミックス薄膜及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-021852
公開番号（公開出願番号）：特開平10-219460
出願日： 1997年02月04日
公開日（公表日）： 1998年08月18日
要約：
【要約】【課題】 薄膜セラミックスの結晶化をポストアニールで行うと結晶化の開始点となる結晶核が非晶質膜内のいたるところで発生してしまい、結晶配向性を制御することが困難であり、デバイス化した時の特性が悪いのが課題であった。【解決手段】 セラミックス薄膜を基板上に形成する際、基板側より結晶化温度が低い層を順次設ける。またそのような材料で構成される構造を有するセラミックス薄膜とする。
請求項（抜粋）：
基板上に非晶質状の前駆体膜を形成し、これを結晶化させて得られるセラミックス薄膜において、基板ごく近傍領域の非晶質の結晶化温度が、他の領域のそれに比べ低温である物質で構成されていることを特徴とするセラミックス薄膜。
IPC (8件)：
C23C 18/02
, C01G 23/00
, C01G 23/04
, C23C 20/06
, C30B 29/32
, C30B 29/68
, H01L 21/314
, C23C 30/00
C23C 18/02
, C01G 23/00 C
, C01G 23/04 C
, C23C 20/06
, C30B 29/32 A
, C30B 29/68
, H01L 21/314 A
, C23C 30/00 A
