特許

J-GLOBAL ID：200903021226005903

半導体製造装置

発明者： 栗原 一彰 ,  関根 誠 ,  奥村 勝弥
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-057970
公開番号（公開出願番号）：特開平9-251981
出願日： 1996年03月14日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：

【要約】【課題】 半導体製造装置においてプロセスガスの利用効率の向上を図る。【解決手段】 本発明の半導体製造装置は、真空槽101と、真空槽101の内部を排気して減圧するターボ分子ポンプ105と、ターボ分子ポンプの排気側105aを更に排気して減圧するドライポンプ106と、真空槽101の内部にプロセスガスを供給するガスボンベ111と、ターボ分子ポンプ105によって排気されたガスの一部を、ターボ分子ポンプの排気側105aから真空槽101の内部へ再循環させる再循環ライン107と、を備える。

請求項（抜粋）：

真空槽と、真空槽の内部を排気して減圧する排気手段と、真空槽の内部にプロセスガスを供給するプロセスガス供給手段と、途中にバルブを備え、前記排気手段によって排気されたガスの一部を、前記排気手段の排気側から前記真空槽の内部へ再循環させる再循環ラインと、を備えた半導体製造装置。

IPC (6件)：

H01L 21/3065 ,  B01J 3/02 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (6件)：

H01L 21/302 B ,  B01J 3/02 M ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 化学的気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-107755   出願人：新日本製鐵株式会社
• エッチング方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-033030   出願人：株式会社日立製作所
• プラズマエッチング方法およびプラズマエッチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-008935   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭59-064516