特許
J-GLOBAL ID：200903021263379139
半導体光検出装置及び半導体光検出装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
畑 泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-037363
公開番号（公開出願番号）：特開平11-238902
出願日： 1998年02月19日
公開日（公表日）： 1999年08月31日
要約：
【要約】【課題】 光の漏れが低減され、且つフォトダイオードPN接合面積を少なくし、高周波特性を劣化させる心配がなく、高量子効率と高周波動作の両立を可能にする半導体光検出装置を提供する。【解決手段】 矩形断面を有する光導波路1に於ける互いに平行に対向する2つの面S1とS2に、光を反射する光反射層210が設けられると共に、残りの互いに平行に対向する2組の面群Z(S3、S4及びS5、S6)の内の少なくとも一つの組を構成する、互いの平行に対向する2つの面S3、S4に光吸収層3が設けられている光導波路1からなる半導体光検出装置200。
請求項（抜粋）：
矩形断面を有する光導波路に於ける互いに平行に対向する2つの面に、光を反射する光反射層が設けられると共に、残りの互いに平行に対向する2組の面群の内の少なくとも一つの組を構成する、互いの平行に対向する2つの面に光吸収層が設けられている事を特徴とする光導波路からなる半導体光検出装置。
引用特許：
前のページに戻る
