特許
J-GLOBAL ID：200903021264503755
拡散防止膜を備える相変化メモリ素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
志賀 正武
, 渡邊 隆
, 村山 靖彦
, 実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-307873
公開番号（公開出願番号）：特開2008-141199
出願日： 2007年11月28日
公開日（公表日）： 2008年06月19日
要約：
【課題】相変化メモリ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明は、スイッチング素子とこれに連結されるストレージノードとを備え、ストレージノードは、下部電極と上部電極、下部電極及び上部電極間に介在された相変化層、上部電極と相変化層との間に介在されたTi-Te系拡散防止膜を備えることを特徴とする相変化メモリ素子及びその製造方法である。Ti-Te系拡散防止膜は、TixTe1-x膜(0<x<0.5)でありうる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
スイッチング素子と、
前記スイッチング素子に連結されるストレージノードと、を含み、
前記ストレージノードは、
下部電極と上部電極、前記下部電極と前記上部電極との間に介在された相変化層、前記上部電極と前記相変化層との間に介在されたTi-Te系拡散防止膜を備えることを特徴とする相変化メモリ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/10 448
, H01L45/00 A
5F083FZ10
, 5F083GA25
, 5F083GA27
, 5F083JA35
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA56
, 5F083JA60
, 5F083MA06
, 5F083MA16
, 5F083MA19
, 5F083PR22
