特許
J-GLOBAL ID：200903043898079739
相変化記憶セル及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
志賀 正武
, 渡邊 隆
, 村山 靖彦
, 実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-351046
公開番号（公開出願番号）：特開2006-165560
出願日： 2005年12月05日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：
【課題】相変化記憶セル及びその製造方法を提供する。【解決手段】相変化記憶セルは半導体基板上に形成された下部層間絶縁膜及び前記下部層間絶縁膜を貫通する下部導電性プラグを具備する。前記下部導電性プラグは前記下部層間絶縁膜上に提供された相変化物質パターンと接触する。前記相変化物質パターン及び前記下部層間絶縁膜は上部層間絶縁膜で覆われている。前記相変化物質パターンは前記上部層間絶縁膜を貫通するプレートラインコンタクトホール内の導電膜パターンと直接接触する。前記相変化記憶セルの製造方法も提供される。【選択図】図2A
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成した下部層間絶縁膜と、
前記下部層間絶縁膜を貫通する下部導電性プラグと、
前記下部層間絶縁膜上に提供されて前記下部導電性プラグと接触する相変化物質パターンと、
前記相変化物質パターン及び前記下部層間絶縁膜を覆う上部層間絶縁膜と、
前記上部層間絶縁膜を貫通するプレートラインコンタクトホールを介して前記相変化物質パターンと直接接触する導電膜パターンと、
を含むことを特徴とする相変化記憶セル。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/10 448
, H01L45/00 A
5F083FZ10
, 5F083JA19
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA60
, 5F083KA01
, 5F083KA05
, 5F083KA19
, 5F083MA06
, 5F083MA19
, 5F083MA20
, 5F083PR03
出願人引用 (1件)
審査官引用 (9件)
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