特許

J-GLOBAL ID：200903021274052883

配線基板

発明者： 平野 真治
出願人/特許権者： 日本特殊陶業株式会社
代理人 (1件)： 菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-198461
公開番号（公開出願番号）：特開2006-019665
出願日： 2004年07月05日
公開日（公表日）： 2006年01月19日
要約：

【課題】 本発明は、互いに平行な部分を有する2本の配線が貫通孔上を通る場合であっても短絡を生じず、電気的特性の良好な配線基板を提供することを目的とする。【解決手段】 上記課題を解決するため、本発明の配線基板では、 絶縁層と導体層とが交互に積層され、前記導体層をなす電源層又はグランド層VGを厚さ方向に貫く貫通孔DGHを備える配線基板であって、 前記貫通孔DGHを有する導体層VG上に配された前記絶縁層B1、B11の上面に、該貫通孔DGH上を通る互いに平行な部分を有する2本の配線DPを備えるとともに、 当該絶縁層B1、B11の上面にて前記貫通孔DGHの位置に対応して生じる窪みKBの深さdに対して、前記2本の配線DPの配線間距離sが大きく形成されてなることを特徴とする。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

絶縁層と導体層とが交互に積層され、前記導体層をなす電源層又はグランド層を厚さ方向に貫く貫通孔を備える配線基板であって、 前記貫通孔を有する導体層上に配された前記絶縁層の上面に、該貫通孔上を通る互いに平行な部分を有する2本の配線を備えるとともに、 当該絶縁層の上面にて前記貫通孔の位置に対応して生じる窪みの深さに対して、前記2本の配線の配線間距離が大きく形成されてなることを特徴とする配線基板。

IPC (2件)：

H01L 23/12 ,  H05K 3/46

FI (2件)：

H01L23/12 E ,  H05K3/46 Z

Fターム (19件)：

5E346AA06 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA32 ,  5E346AA41 ,  5E346BB02 ,  5E346BB03 ,  5E346BB04 ,  5E346BB07 ,  5E346BB11 ,  5E346BB15 ,  5E346BB16 ,  5E346CC02 ,  5E346CC08 ,  5E346CC31 ,  5E346DD01 ,  5E346DD31 ,  5E346EE31 ,  5E346HH08

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 多層配線基板、その検査方法及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-261319   出願人：日本特殊陶業株式会社

審査官引用 (2件)

• 配線基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-345245   出願人：日本特殊陶業株式会社
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-208835   出願人：日本電気株式会社