特許
J-GLOBAL ID:200903021279681935
磁気検出素子
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
古澤 俊明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-297072
公開番号(公開出願番号):特開2005-069744
出願日: 2003年08月21日
公開日(公表日): 2005年03月17日
要約:
【課題】 軸受けなどの機構的制約から生じる磁石との位置関係のばらつきに影響を受けない磁気検出素子を提供すること。 【解決手段】 磁力線により抵抗値の変化する磁気抵抗素子であって、磁力線に対する感度方向が互いに異なる第1素子と第2素子との2個を1対として2組を基板に形成してなる磁気検出素子において、前記一方の第1素子と第2素子とを基板の上面に設けた一方の磁気検出素子と、前記他方の第1素子と第2素子とを補助基板の下面に設けた他方の磁気検出素子とを形成し、前記一方の磁気検出素子の第1素子と第2素子に前記他方の磁気検出素子の第2素子と第1素子をそれぞれ基板の厚さ方向に重ね合わせて構成した。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
磁力線により抵抗値の変化する磁気抵抗素子であって、磁力線に対する感度方向が互いに異なる第1素子と第2素子との2個を1対として2組を基板に形成してなる磁気検出素子において、前記第1素子と第2素子とがそれぞれ基板の厚さ方向に重なるように構成したことを特徴とする磁気検出素子。
IPC (4件):
G01R33/09
, G01D5/245
, H01L43/02
, H01L43/08
FI (4件):
G01R33/06 R
, G01D5/245 G
, H01L43/02 Z
, H01L43/08 Z
Fターム (8件):
2F077AA11
, 2F077AA25
, 2F077PP15
, 2F077TT09
, 2F077TT16
, 2F077UU09
, 2G017AA10
, 2G017AD55
引用特許: