特許

J-GLOBAL ID：200903021284636298

半導体素子およびその製造方法

発明者： 小林 俊雅
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-083095
公開番号（公開出願番号）：特開2005-268725
出願日： 2004年03月22日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：

【課題】 製造工程における研磨またはドライエッチングの際に発生したダメージによる悪影響を解消すると共に、ウェットエッチングによるパターニングが難しいという問題を解決することができ、信頼性を向上させることができる半導体素子を提供する。【解決手段】 p型半導体よりなる基板10の一面側に、p側コンタクト層21、p型クラッド層22、活性層30、n型クラッド層41およびn側コンタクト層42が順に積層されている。p側コンタクト層21は、ドライエッチングで加工したのちウェットエッチングを行うことにより形成されたダメージ回復面61を有する被加工層となっている。p側コンタクト層21のダメージ回復面61に、p側電極71が設けられている。ドライエッチングで発生したダメージによる悪影響が防止され、p側コンタクト層21とp側電極71との導通性が高くなり、信頼性が向上する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板と、 3B族元素のうちの少なくとも1種と5B族元素のうちの少なくとも窒素(N)とを含む窒化物系III-V族化合物半導体により構成され、前記基板に形成された半導体層と、 前記基板または前記半導体層を研磨またはドライエッチングで加工したのちウェットエッチングを行うことにより形成されたダメージ回復面を有する被加工層と を備えたことを特徴とする半導体素子。

IPC (3件)：

H01S5/323 ,  H01L21/306 ,  H01L33/00

FI (3件)：

H01S5/323 610 ,  H01L33/00 C ,  H01L21/306 S

Fターム (22件)：

5F041AA24 ,  5F041AA40 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CB11 ,  5F043AA18 ,  5F043BB10 ,  5F043DD15 ,  5F043FF01 ,  5F043GG05 ,  5F173AA08 ,  5F173AF03 ,  5F173AH22 ,  5F173AP05 ,  5F173AP32 ,  5F173AP33 ,  5F173AP39 ,  5F173AR64 ,  5F173AR82 ,  5F173AR92

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 窒化物系化合物半導体のエッチング方法および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-170541   出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (1件)

• 半導体発光素子の製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-057688   出願人：ローム株式会社