特許
J-GLOBAL ID：200903051080175077
窒化物系化合物半導体のエッチング方法および半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-170541
公開番号（公開出願番号）：特開平9-330916
出願日： 1996年06月10日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：
【要約】【課題】 GaNなどの窒化物系化合物半導体を、損傷を伴うことなく、しかも良好な制御性でエッチングすることができるエッチング方法およびこのエッチング方法を用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 H2 ガスおよびN2 ガスなどの不活性ガスのうちの少なくとも一方からなる第1のガスと、Cl2 ガスなどのハロゲンガスおよびHClガスなどのうちの少なくとも一方からなる第2のガスとの混合ガスからなり、かつ、第2のガスの分圧が数Torr〜常圧であるエッチングガスを用い、400°C以上の温度で、GaN、AlGaN、GaInNなどの窒化物系化合物半導体を気相で熱化学的にエッチングする。この方法により窒化物系化合物半導体を選択的にエッチングした後、このエッチングにより除去された部分に化合物半導体層をMOCVD法により選択的に成長させて埋め込み、FETや半導体レーザを製造する。
請求項（抜粋）：
水素ガスおよび不活性ガスのうちの少なくとも一方からなる第1のガスとハロゲンガスおよびハロゲン化合物ガスのうちの少なくとも一方からなる第2のガスとの混合ガスからなり、かつ、上記第2のガスの分圧が数Torr〜常圧であるエッチングガスを用いて400°C以上の温度で窒化物系化合物半導体をエッチングするようにしたことを特徴とする窒化物系化合物半導体のエッチング方法。
IPC (5件)：
H01L 21/3065
, H01L 29/41
, H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 29/778
H01L 21/302 A
, H01L 29/44 C
, H01L 29/80 B
, H01L 29/80 H
