特許
J-GLOBAL ID:200903021291433505

多層プロトン交換膜および膜電極アセンブリの調製方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  加藤 憲一 ,  西山 雅也
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-530808
公開番号(公開出願番号):特表2005-536602
出願日: 2003年06月26日
公開日(公表日): 2005年12月02日
要約:
多層プロトン交換膜(「PEM」)およびこのPEMを含む膜電極アセンブリ(「MEA」)の調製方法。この方法は、(a)塗布に使える表面を有する、基材に接着したイオノマーの膜を含む物品を準備するステップ、(b)上記膜の表面に分散液または溶液(例えばイオノマーの分散液または溶液)を塗付するステップ、(c)この分散液または溶液を乾燥して上記基材に接着した多層PEMを形成するステップ、および(d)この多層PEMを基材から取り外すステップを含む。また、このようなPEMを組み込んだ多層PEMおよびMEAを特徴とする。
請求項(抜粋):
多層プロトン交換膜の調製方法であって、 (a)基材に接着した層を備えた物品を準備するステップであって、前記層が第一のイオノマーを含み、かつ塗布に使える表面を有するステップ、 (b)前記層の前記表面に分散液または溶液を塗付するステップ、 (c)前記分散液または溶液を乾燥して前記基材に接着した多層プロトン交換膜を形成するステップ、および (d)前記多層プロトン交換膜を前記基材から取り外すステップ、 を含む方法。
IPC (6件):
C08J5/22 ,  B05D7/00 ,  H01B1/06 ,  H01B13/00 ,  H01M8/02 ,  H01M8/10
FI (7件):
C08J5/22 101 ,  C08J5/22 ,  B05D7/00 B ,  H01B1/06 A ,  H01B13/00 Z ,  H01M8/02 P ,  H01M8/10
Fターム (32件):
4D075BB92Z ,  4D075DA25 ,  4D075DB36 ,  4D075DB48 ,  4D075DB53 ,  4D075DB63 ,  4D075DC21 ,  4D075EC03 ,  4D075EC07 ,  4D075EC13 ,  4F071AA14 ,  4F071AA43 ,  4F071AA60 ,  4F071FC01 ,  4F071FC02 ,  4F071FC03 ,  4F071FC05 ,  4F071FD03 ,  4F071FD04 ,  5G301CA30 ,  5G301CD01 ,  5G301CE01 ,  5H026AA06 ,  5H026BB00 ,  5H026BB03 ,  5H026BB04 ,  5H026BB10 ,  5H026CX05 ,  5H026EE11 ,  5H026EE18 ,  5H026EE19 ,  5H026HH03
引用特許:
審査官引用 (3件)

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