半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：亀谷美明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-176664
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007386
出願日： 1999年06月23日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：

【要約】【課題】ブロック同士の確実な分離により装置性能及び歩留まりが向上する半導体装置を提供する。【解決手段】 LEDアレイ100において,高抵抗基板102上に形成された半導体層104には,発光部110が略等間隔で1次元的に列をなすように形成されている。LEDアレイ100では,素子分離領域106と高抵抗基板102とで発光部110を含むブロック108同士を相互に離隔することにより,半導体層104のブロック108への分離が実現されている。かかるLEDアレイ100の素子分離領域106は,全体的な幅の狭小化を抑制するために,幅狭部106aが幅広部106bよりも狭い幅で形成されている。

請求項（抜粋）：

2以上の能動素子が形成された半導体層を備え,前記半導体層は,1以上の素子分離領域により,それぞれが少なくとも1の前記能動素子を含む相互に分離された2以上のブロックに分かれている,半導体装置であって:前記素子分離領域において,相互に異なるブロックに含まれる2の前記能動素子により挟まれる部分は,他の部分よりも狭い幅で形成されていることを特徴とする,半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 33/00 , B41J 2/44 , B41J 2/45 , B41J 2/455

FI (2件)：

H01L 33/00 A , B41J 3/21 L

Fターム (13件)：

2C162FA17 , 2C162FA23 , 5F041AA41 , 5F041CA35 , 5F041CA36 , 5F041CA46 , 5F041CA53 , 5F041CA72 , 5F041CA74 , 5F041CA91 , 5F041CB24 , 5F041CB25 , 5F041FF13

引用特許：

審査官引用 (4件)

発光ダイオードアレイ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-196522 出願人：沖電気工業株式会社
半導体装置及びその装置に用いる半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-285528 出願人：沖電気工業株式会社
特開昭55-124180

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