特許
J-GLOBAL ID：200903021325567220

半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者：
坂本 有史

坂本 有史 について


出願人/特許権者：
住友ベークライト株式会社

住友ベークライト株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-058308
公開番号（公開出願番号）：特開2005-251880
出願日： 2004年03月03日
公開日（公表日）： 2005年09月15日
要約：
【課題】 液状樹脂組成物を用いて回路面に融点160°C以下の突起電極を有する半導体チップを封止し信頼性に優れた半導体装置を得る。【解決手段】 回路面にはんだ突起電極が形成された半導体チップと回路基板とを、エポキシ樹脂組成物を介して、はんだの融点以上に加熱し該突起電極と回路基板を電気的に接合し、樹脂を硬化させて製造する半導体装置の製造方法であって、前記はんだが融点160°C以下であり且つエポキシ樹脂組成物が、(A)常温で液状であり、1分子中にエポキシ基を2個以上含むエポキシ樹脂、(B)フラックス活性を有し、1分子中に少なくとも2個のフェノール性水酸基と1個の芳香族カルボキシル基を含む第1の硬化剤、(C)フラックス活性を有し、且つ融点が120°C以下であり、少なくとも2個以上のカルボキシル基を含んでなる第2の硬化剤、を必須成分とするものであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項（抜粋）：
回路面にはんだ突起電極が形成された半導体チップと回路基板とを、エポキシ樹脂組成物を介してはんだの融点以上に加熱し、該突起電極と回路基板とを電気的に接合し、樹脂を硬化させて製造する半導体装置の製造方法であって、前記はんだが融点160°C以下であり且つエポキシ樹脂組成物が、(A)常温で液状であり、1分子中にエポキシ基を2個以上含むエポキシ樹脂、(B)フラックス活性を有し、1分子中に少なくとも2個のフェノール性水酸基と1個の芳香族カルボキシル基を含む第1の硬化剤、(C)フラックス活性を有し、且つ融点が120°C以下であり、少なくとも2個以上のカルボキシル基を含んでなる第2の硬化剤、を必須成分とするものであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L21/56 ,  C08G59/42 ,  C08G59/62 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31
FI (4件)：
H01L21/56 R ,  C08G59/42 ,  C08G59/62 ,  H01L23/30 R
Fターム (19件)：
4J036AA01 ,  4J036AB12 ,  4J036AD08 ,  4J036AD12 ,  4J036AD20 ,  4J036AF01 ,  4J036DA05 ,  4J036DB05 ,  4J036DB11 ,  4J036DB16 ,  4J036DB17 ,  4J036JA07 ,  4M109AA01 ,  4M109BA04 ,  4M109EA02 ,  4M109EB02 ,  5F061AA01 ,  5F061BA04 ,  5F061CB03
引用特許：
出願人引用 (8件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM