特許

J-GLOBAL ID：200903021338485410

光出力制御回路及び光出力制御方法

発明者： 川岸 亨
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (4件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰 ,  柏岡 潤二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-023653
公開番号（公開出願番号）：特開2006-210812
出願日： 2005年01月31日
公開日（公表日）： 2006年08月10日
要約：

【課題】 半導体発光素子の駆動電流に基づき、半導体発光素子の光出力を動作温度に応じて制御可能な光出力制御回路及び光出力制御方法を提供する。【解決手段】 本発明の一実施形態に係る光出力制御回路では、発光効率演算部が、所望の発光強度Ptar及び消光比ER、入力変調信号のマーク率M、並びに変調電流Imに基づく演算によって発光効率SEを算出し、閾値生成部が所定の許容発光強度Pmaxと発光効率SEとの商演算によって閾値を生成する。また、この光出力制御回路では、駆動電流算出部が半導体発光素子の駆動電流Iopを算出する。この光出力制御回路は、この駆動電流Iopが閾値を超える場合に、半導体発光素子の光出力を停止させる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体発光素子にバイアス電流Ibを供給するバイアス電流源と、 変調信号を受け、該変調信号に対応して該半導体発光素子に変調電流Imを供給する変調電流源を有するドライバ部と、 該バイアス電流Ib及び該変調電流Imを設定する制御部と、 所望の発光強度Ptar及び消光比ER、該変調信号のマーク率M、並びに該変調電流Imに係る下式(1)に基づき発光効率SEを算出する発光効率演算部と、

IPC (7件)：

H01S 5/068 ,  H04B 10/08 ,  H04B 10/04 ,  H04B 10/06 ,  H04B 10/14 ,  H04B 10/26 ,  H04B 10/28

FI (3件)：

H01S5/0683 ,  H04B9/00 K ,  H04B9/00 Y

Fターム (21件)：

5F173SA17 ,  5F173SC02 ,  5F173SE01 ,  5F173SE03 ,  5F173SF03 ,  5F173SF15 ,  5F173SF32 ,  5F173SF43 ,  5F173SF72 ,  5F173SH03 ,  5F173SH14 ,  5K102AA41 ,  5K102LA04 ,  5K102LA38 ,  5K102LA52 ,  5K102MA01 ,  5K102MB02 ,  5K102MC05 ,  5K102MH02 ,  5K102MH13 ,  5K102MH23

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体レーザの光出力制御回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-090358   出願人：オリンパス光学工業株式会社

審査官引用 (3件)

• 発光素子制御装置、光送信装置、駆動電流決定方法、およびプログラム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-357930   出願人：株式会社東芝
• レーザ駆動装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-289721   出願人：キヤノン株式会社
• 半導体レーザ励起固体レーザ装置とその稼働方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-045905   出願人：日本電気株式会社