特許
J-GLOBAL ID：200903021347832637

イオン発生素子、イオン発生素子の製造方法、イオン発生装置およびそれを備えた電気機器

発明者：
世古口 美徳

世古口 美徳 について

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杉岡 亮一

杉岡 亮一 について

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漆崎 正人

漆崎 正人 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (3件)： 佐野 静夫 ,  山田 茂樹 ,  小寺 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-273273
公開番号（公開出願番号）：特開2004-105517
出願日： 2002年09月19日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：
【課題】イオン発生素子2における、正負両イオン間での発生量のバラツキを低減するとともに、消費電力を低減する。【解決手段】誘電体3の表面に形成される放電電極4を形成する一方、放電電極4と対向するように誘電体3の内部に誘導電極5を形成する。そして、誘電体3上の放電電極4を覆うようにコーティング層8を誘電体3上に形成する。このとき、放電電極4の非形成領域におけるコーティング層8の厚さが、放電電極4の厚さよりも小さくなるように、コーティング層8を形成する。これにより、放電電極4付近の電界集中度(電界強度)が高くなり、低電圧でも放電電極4付近で安定して正負両イオンを発生させることが可能となる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
誘電体の表面に形成される放電電極と、 前記誘電体の内部に形成され、前記放電電極と対向して配置される誘導電極と、 前記放電電極を覆うように、前記誘電体上に形成される保護層とを備え、前記両電極間の電位差に基づいて発生する放電により、イオンを発生するイオン発生素子において、 前記放電電極の非形成領域における前記保護層の厚さが、前記放電電極の厚さよりも小さいことを特徴とするイオン発生素子。
IPC (7件)：
A61L9/22 ,  B03C3/02 ,  B03C3/40 ,  B03C3/41 ,  B03C3/60 ,  F24F7/00 ,  H01T23/00
FI (8件)：
A61L9/22 ,  B03C3/02 A ,  B03C3/40 A ,  B03C3/40 C ,  B03C3/41 C ,  B03C3/60 ,  F24F7/00 B ,  H01T23/00
Fターム (14件)：
4C080AA07 ,  4C080BB02 ,  4C080CC01 ,  4C080HH02 ,  4C080JJ01 ,  4C080KK02 ,  4C080LL02 ,  4C080MM40 ,  4C080QQ17 ,  4D054BA19 ,  4D054BB05 ,  4D054BB06 ,  4D054BB12 ,  4D054BB30
引用特許：
審査官引用 (5件)
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