不良分析のフィードバックによる半導体製造工程の制御方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-228950
公開番号（公開出願番号）：特開平9-180976
出願日： 1996年08月29日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：

【要約】【課題】半導体製造工程ラインをオンラインモニタリングして装備ヒストリのデータベースを実時間的に構築することにより、即刻対応の可能な不良分析のフィードバックによる半導体製造工程の制御方法を提供する。【解決手段】ロット別の歩留り分析と半導体装備の工程条件との相関関係をマッチングさせて特定の歩留り低下や非正常的な装備不良である場合の非正常の工程条件の情報から工程監視データベースを構築する段階;実時間的に半導体装備の工程条件をオンラインによって取得して装備データベースを構築する段階;前記工程監視データベースを参照して実時間的に取得された工程条件をチェックする段階;および前記実時間的に取得された工程条件と非正常の工程条件との類似度が予め定められたスペック以上である場合には当該工程装備の動作を中止する段階を具備する。

請求項（抜粋）：

ロット別の歩留り分析と半導体装備の工程条件との相関関係をマッチングさせて特定の歩留り低下や非正常的な装備不良の場合の非正常の工程条件の情報から監視データベースを構築する段階;実時間的に半導体装備の工程条件をオンラインによって取得して装備データベースを構築する段階;前記監視データベースを参照して実時間的に取得された工程条件をチェックする段階;および前記実時間的に取得された工程条件と非正常の工程条件との類似度が予め定められたスペック以上である場合には当該工程装備の動作を中止する段階を具備することを特徴とする不良分析のフィードバックによる半導体製造工程の制御方法。

IPC (3件)：

H01L 21/02 , H01L 21/66 , G05B 15/02

FI (3件)：

H01L 21/02 Z , H01L 21/66 A , G05B 15/02 Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭63-272450
特開平4-354663
半導体製造装置の監視および制御を実行する装置と方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-043615 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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