特許

J-GLOBAL ID：200903021399868656

半導体装置とスイッチング電源装置

発明者： 立野 孝治 ,  白井 伸幸
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (1件)： 徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-186370
公開番号（公開出願番号）：特開2008-017625
出願日： 2006年07月06日
公開日（公表日）： 2008年01月24日
要約：

【課題】効率向上を実現した半導体装置とスイッチング電源装置を提供する。【解決手段】第1パワーMOSFETを構成する第1半導体チップ、第2パワーMOSFETを構成する第2半導体チップ及び第3半導体チップとを1つのパッケージに搭載する。上記第3半導体チップは、上記第1、第2パワーMOSFETを相補的に駆動する駆動回路を含み、上記駆動回路から出力される駆動信号の電圧レベルに温度上昇に対応して上昇させる温度依存性を持たせる電圧制御手段を設ける。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1半導体チップと、 第2半導体チップと、 第3半導体チップとが1つのパッケージに搭載され、 上記第1半導体チップは、第1パワーMOSFETであり、 上記第2半導体チップは、第2パワーMOSFETであり、 上記第3半導体チップは、 上記第1、第2パワーMOSFETを相補的に駆動する駆動回路とを含み、 上記駆動回路から出力される駆動信号の電圧レベルに温度上昇に対応して上昇させる温度依存性を持たせる電圧制御手段を設けた半導体装置。

IPC (4件)：

H02M 3/155 ,  H02M 1/08 ,  H03K 17/14 ,  H03K 17/687

FI (4件)：

H02M3/155 S ,  H02M1/08 A ,  H03K17/14 ,  H03K17/687 F

Fターム (33件)：

5H730AA14 ,  5H730AS05 ,  5H730BB13 ,  5H730BB57 ,  5H730DD04 ,  5H730DD26 ,  5H730EE59 ,  5H730FD01 ,  5H730FD61 ,  5H730FG05 ,  5H740BA12 ,  5H740BB05 ,  5H740KK01 ,  5H740MM08 ,  5J055AX15 ,  5J055BX16 ,  5J055CX19 ,  5J055DX22 ,  5J055DX56 ,  5J055DX72 ,  5J055DX83 ,  5J055EY10 ,  5J055EY13 ,  5J055EY17 ,  5J055EY21 ,  5J055EZ07 ,  5J055EZ10 ,  5J055FX04 ,  5J055FX13 ,  5J055FX17 ,  5J055GX01 ,  5J055GX02 ,  5J055GX04

引用特許：

出願人引用 (2件)

• スイッチング電源装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-165133   出願人：松下電器産業株式会社
• 共振回路素子からなる変換器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-166400   出願人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ