特許
J-GLOBAL ID：200903061551062710

高融点金属窒化シリコンの周期的堆積

発明者：
チャン, フアー

チャン, フアー について

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チェン, リン

チェン, リン について

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チン, バリー, エル.

チン, バリー, エル. について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 長谷川 芳樹 ,  山田 行一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-551340
公開番号（公開出願番号）：特表2005-512337
出願日： 2002年12月03日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：
本発明の実施形態は、3種以上の前駆体を用いる周期的層堆積の装置及び方法に関する。一実施形態においては、該方法は少なくとも一サイクルの前駆体を供給して三元材料層を形成するステップを含んでいる。少なくとも一サイクルの前駆体を供給するステップは、第一前駆体のパルスを導入するステップと、第二前駆体のパルスを導入するステップと、第三前駆体のパルスを導入するステップとを含み、その3種の前駆体のうちの2つのパルスが同時に又は連続して導入される。他の実施形態においては、該方法は第一前駆体のパルスを導入するステップと、第二前駆体のパルスを導入するステップと、第一前駆体と第二前駆体の導入を少なくとも一回繰り返して該基板表面上に二元材料を形成するステップと、第三前駆体のパルスを導入して三元材料層を形成するステップとを含んでいる。
請求項（抜粋）：
高融点金属窒化シリコン層を下にある層の表面上に堆積させる方法であって、 窒素含有前駆体のパルスを導入するステップであって、高融点金属含有前駆体とシリコン含有前駆体の該下にある層への拡散を防止するために該窒素含有前駆体がまず導入される、前記ステップと、 少なくとも一サイクルの前駆体を供給して該高融点金属窒化シリコン層を形成するステップであって、該少なくとも一サイクルが 該高融点金属含有前駆体のパルスを導入する工程と、 該窒素含有前駆体のパルスを導入する工程と、 該シリコン含有前駆体のパルスを導入する工程と を含む、前記ステップとを含む、前記方法。
IPC (3件)：
H01L21/285 ,  C23C16/34 ,  H01L21/768
FI (3件)：
H01L21/285 C ,  C23C16/34 ,  H01L21/90 A
Fターム (61件)：
4K030AA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BA40 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA06 ,  4K030LA15 ,  4M104BB04 ,  4M104BB25 ,  4M104BB27 ,  4M104BB29 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB36 ,  4M104BB38 ,  4M104DD43 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104FF18 ,  4M104HH05 ,  4M104HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033HH27 ,  5F033HH30 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ27 ,  5F033JJ30 ,  5F033JJ32 ,  5F033LL09 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP02 ,  5F033PP03 ,  5F033PP06 ,  5F033PP12 ,  5F033PP14 ,  5F033PP27 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR11 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033RR22 ,  5F033RR29 ,  5F033SS04 ,  5F033WW00 ,  5F033WW04 ,  5F033XX02 ,  5F033XX13 ,  5F033XX28
引用特許：
審査官引用 (3件)

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