特許

J-GLOBAL ID：200903021434738760

窒化珪素膜の製造方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 星 岳志 ,  斎藤 豪 ,  加藤 寿 ,  織戸 康一
出願人/特許権者： 株式会社半導体先端テクノロジーズ ,  東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-221490
公開番号（公開出願番号）：特開2006-041337
出願日： 2004年07月29日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：

【課題】 窒化珪素膜の塩素不純物量の低減を実現し、ウェットエッチ耐性の高い窒化珪素膜の形成を可能とした窒化珪素膜の製造方法及びこの製造方法を備えた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 基体の表面に窒化珪素膜を形成する窒化珪素膜の製造方法であって、珪素と塩素とを含む第1のガスを前記基体の表面に供給する第1の工程と、窒素を含む第2のガスを前記基体の表面に供給する第2の工程と、水素を含む第3のガスを前記基体の表面に供給する第3の工程と、をこの順に繰り返すことを特徴とする窒化珪素膜の製造方法を提供する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基体の表面に窒化珪素膜を形成する窒化珪素膜の製造方法であって、 珪素と塩素とを含む第1のガスを前記基体の表面に供給する第1の工程と、 窒素を含む第2のガスを前記基体の表面に供給する第2の工程と、 水素を含む第3のガスを前記基体の表面に供給する第3の工程と、 をこの順に繰り返すことを特徴とする窒化珪素膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/318 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L21/318 B ,  H01L29/78 301N ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 301L

Fターム (42件)：

5F058BA08 ,  5F058BC08 ,  5F058BD10 ,  5F058BF06 ,  5F058BF07 ,  5F058BF24 ,  5F058BF30 ,  5F058BF38 ,  5F058BF40 ,  5F140AA00 ,  5F140AA26 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14 ,  5F140BG30 ,  5F140BG34 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BG56 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK26 ,  5F140BK29 ,  5F140BK34 ,  5F140CB01 ,  5F140CB08 ,  5F140CC01 ,  5F140CC03 ,  5F140CC08 ,  5F140CC10 ,  5F140CC12 ,  5F140CC15 ,  5F140CE07 ,  5F140CF04

引用特許：

出願人引用 (4件)

• ヘキサクロロジシランおよびアンモニアを用いた原子層蒸着によるシリコン含有固体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-174015   出願人：三星電子株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-046393   出願人：ソニー株式会社
• 特開平1-179710
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-014003   出願人：株式会社日立国際電気

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-046393   出願人：ソニー株式会社