特許

J-GLOBAL ID：200903021441392748

酸化珪素膜の加熱処理方法および加熱処理装置

発明者： 山崎 舜平 ,  坂間 光範 ,  佐藤 友彦 ,  寺本 聡 ,  竹村 保彦 ,  酒井 重史
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-212031
公開番号（公開出願番号）：特開平8-055846
出願日： 1994年08月11日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：

【要約】【目的】 PVD法やCVD法によって形成された酸化珪素膜を薄膜トランジスタのゲイト絶縁膜として用いるための、良好な加熱処理方法および加熱処理装置を提供する。【構成】 PVD法やCVD法によって、珪素膜からなる活性層上に形成した酸化珪素膜に対して、紫外光を照射しながら、一酸化二窒素雰囲気において300〜700°Cの加熱処理をおこなうことによって、酸化珪素膜中の水素や炭素を低減し、特に珪素膜との界面に窒素を取り込むことによってゲイト絶縁膜として良好な酸化珪素膜を形成する。

請求項（抜粋）：

加熱処理をおこなうチャンバー内を真空にする工程と、前記工程後に、チャンバー内に一酸化二窒素を導入する工程とを有し、前記工程によって得られた一酸化二窒素雰囲気において、350°C以上600°C以下の温度に加熱された酸化珪素膜に紫外光を照射することを特徴とする酸化珪素膜の加熱処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/324 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 617 S ,  H01L 29/78 617 V

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 薄膜状半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-176193   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜状半導体装置の作製方法。
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-191934   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 絶縁ゲイト型半導体装置とその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-102202   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所