特許
J-GLOBAL ID：200903021454881551
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-181356
公開番号（公開出願番号）：特開平7-037872
出願日： 1993年07月22日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：
【要約】【目的】低ストレス性と高パッシベーション能力とを併せ持つ単膜からなるプラズマCVD絶縁膜を有し、アルカリ金属などの汚染に対する耐性およびSM耐性が優れた半導体装置の製造方法を提供する。【構成】半導体基板1a上に所定のパターンを有する配線3を形成する工程と、この配線上を含む半導体基板上に、プラズマCVD法により、パッシベーション能力の高い緻密な膜質を有する第1の膜部4と下地に与えるストレスが低い膜質を有する第2の膜部5とを交互に堆積することにより、単膜からなるプラズマCVD絶縁膜6を堆積形成する工程とを具備することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体素子が形成された半導体基板と、この半導体基板上に形成された所定のパターンを有する配線と、この配線上を含む半導体基板上に堆積形成され、パッシベーション能力の高い緻密な膜質を有する第1の膜部と下地に与えるストレスが低い膜質を有する第2の膜部とが交互に重なるように堆積された単膜からなる絶縁膜とを具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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