半導体膜形成方法及び薄膜半導体装置の製造方法と、基板熱処理方法及び化学気相堆積方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-322724
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130668
出願日： 1993年12月21日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】低温プロセスによって良好なトランジスタ特性を有する薄膜半導体装置の製造方法を提供する。【構成】非晶質半導体膜堆積後、酸化性雰囲気下にて熱処理を施す。【効果】低温工程で良好なトランジスタ特性を有するTFTを、簡単な方法で大面積に均一に製造することが出来る。

請求項（抜粋）：

少なくとも表面が絶縁性物質で有る基板上に結晶性半導体膜を形成する方法に於いて、非晶質半導体膜を形成する第一の工程と、前記非晶質半導体膜が形成された基板を酸化性雰囲気下にて熱処理する第二の工程を含む事を特徴とする半導体膜形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 , H01L 21/20 , H01L 21/324 , H01L 29/786 , H01L 21/336

引用特許：

審査官引用 (6件)

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