特許
J-GLOBAL ID：200903021479910475

イオン照射装置

発明者：
佐々木 雄一朗

佐々木 雄一朗 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-400164
公開番号（公開出願番号）：特開2003-203598
出願日： 2001年12月28日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウェハにイオン照射を行いながら、且つ、正確にイオンビーム電流値を測定して注入量制御することで、従来よりも誤差の少ない注入量制御が可能なイオン照射装置を提供する。【解決手段】 ビームラインが始端と終端を有し、且つ、イオンビーム電流に対応した磁場を検知する検知部と、磁束を測定部に伝達する磁束伝達部と、伝達された磁束に感応する超伝導素子と超伝導素子を貫く磁束の変化を打ち消すように帰還電流を流す帰還コイルを有する測定部と、検知部と磁束伝達部と測定部をイオンビームが流れる空間を含む外部空間から磁気遮蔽する超伝導体からなるギャップを有する磁気遮蔽部を少なくとも有するビーム電流強度測定装置を始端と終端の間に少なくとも有することを特徴としたイオン照射装置。特に、始端はイオン源を有するイオン注入装置。
請求項（抜粋）：
ビームラインが始端と終端を有し、且つ、ビーム電流に対応した磁場を検知する検知部と、磁束を測定部に伝達する磁束伝達部と、伝達された磁束に感応する超伝導素子と超伝導素子を貫く磁束の変化を打ち消すように帰還電流を流す帰還コイルを有する測定部と、検知部と磁束伝達部と測定部をイオンビームが流れる空間を含む外部空間から磁気遮蔽する超伝導体からなるギャップを有する磁気遮蔽部を少なくとも有するビーム電流強度測定装置を始端と終端の間に少なくとも有することを特徴とするイオン照射装置。
IPC (7件)：
H01J 37/317 ,  H01J 37/04 ,  H01J 37/244 ,  H01J 37/305 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/265 ,  H05H 3/02
FI (8件)：
H01J 37/317 C ,  H01J 37/04 A ,  H01J 37/244 ,  H01J 37/305 B ,  H05H 3/02 ,  H01L 21/265 T ,  H01L 21/30 541 N ,  H01L 21/30 551
Fターム (16件)：
2G085AA20 ,  2G085BA02 ,  2G085CA19 ,  2G085CA27 ,  2G085EA05 ,  2G085EA08 ,  5C030AA02 ,  5C030AB03 ,  5C030AB05 ,  5C033NN08 ,  5C033NP08 ,  5C034BB10 ,  5C034CD07 ,  5F056BA01 ,  5F056BB01 ,  5F056BB03
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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引用文献：
審査官引用 (2件)

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