磁気変換素子、薄膜磁気ヘッドおよびそれらの製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三反崎泰司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-024805
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210894
出願日： 2000年01月28日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：

【要約】【課題】熱安定性の良好な磁気変換素子、薄膜磁気ヘッドおよびそれらの製造方法を提供する。【解決手段】 MR素子の積層体20は、下地層21の上に第1軟磁性層22、第2軟磁性層23、非磁性層24、強磁性層25、反強磁性層26および保護層27を順次積層することにより構成されている。強磁性層25は、その積層方向において下層25aと上層25bとに分割され、その下層25aと上層25bとの間には、磁性を有し、かつ、強磁性層25よりも大きな電気抵抗を有する強磁性層間層28が設けられている。強磁性層間層28は、下層25aおよび上層25bを磁気的に一体にすると共に、積層体20中を移動する電子の通路を制限して抵抗変化率を向上させるようになっている。更に、強磁性層間層28は、Mn,Cr,Ni,Cu,Rh,IrおよびPtからなる群のうち少なくとも1種を添加物として含んでおり、これにより積層体20の熱劣化を抑制するようになっている。

請求項（抜粋）：

一対の対向する面を有する非磁性層と、前記非磁性層の一方の面側に形成された軟磁性層と、前記非磁性層の他方の面側に形成された強磁性層と、前記強磁性層の前記非磁性層とは反対の側に形成された反強磁性層とを備えた磁気変換素子であって、前記軟磁性層および前記強磁性層のうちの少なくとも一方の磁性層中に層間層を有し、この層間層は、磁性を有すると共に、前記磁性層の少なくとも一部よりも電気抵抗が大きく、かつ、マンガン(Mn),クロム(Cr),ニッケル(Ni),銅(Cu),ロジウム(Rh),イリジウム(Ir)および白金(Pt)からなる群のうちの少なくとも1種を含むことを特徴とする磁気変換素子。

IPC (7件)：

H01L 43/08 , G11B 5/31 , G11B 5/39 , H01F 10/00 , H01F 10/30 , H01F 41/18 , H01L 43/12

FI (7件)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/31 K , G11B 5/39 , H01F 10/00 , H01F 10/30 , H01F 41/18 , H01L 43/12

Fターム (17件)：

5D033AA02 , 5D033BB43 , 5D033DA01 , 5D033DA31 , 5D034BA05 , 5D034BA21 , 5D034BB12 , 5D034DA07 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049AC05 , 5E049BA12 , 5E049CB02 , 5E049CC01 , 5E049DB04 , 5E049DB12 , 5E049GC01

引用特許：

審査官引用 (4件)

磁気抵抗効果素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-111419 出願人：株式会社東芝
磁気抵抗効果素子とその製造方法、磁気抵抗効果型ヘッド、磁気記録装置、磁気抵抗効果メモリ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-057908 出願人：松下電器産業株式会社
磁気抵抗効果素子及び磁気記録装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-374033 出願人：株式会社東芝

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