特許
J-GLOBAL ID：200903021500634866
シリコン単結晶ウエ-ハおよびシリコン単結晶ウエ-ハの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-063612
公開番号（公開出願番号）：特開2000-211995
出願日： 1999年03月10日
公開日（公表日）： 2000年08月02日
要約：
【要約】【課題】 CZシリコンウエーハにおいて、無欠陥層深さと内部微小欠陥密度の制御範囲を拡大する。【解決手段】 CZ法により窒素をドープして育成されたシリコン単結晶棒から得たシリコンウエーハであって、該シリコンウエーハのゲッタリング熱処理後またはデバイス製造熱処理後の無欠陥層深さが2〜12μmであり、かつゲッタリング熱処理後またはデバイス製造熱処理後の内部微小欠陥密度が1×108〜2×1010ケ/cm3であるシリコンウエーハ。CZ法によって窒素をドープしたシリコン単結晶棒を、窒素濃度、酸素濃度、及び冷却速度を制御しつつ育成し、該シリコン単結晶棒をウエーハに加工するシリコンウエーハの製造方法。
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法により窒素をドープして育成されたシリコン単結晶棒をスライスして得たシリコン単結晶ウエーハであって、該シリコン単結晶ウエーハのゲッタリング熱処理後またはデバイス製造熱処理後の無欠陥層深さが2〜12μmであり、かつゲッタリング熱処理後またはデバイス製造熱処理後の内部微小欠陥密度が1×108〜2×1010ケ/cm3であることを特徴とするシリコン単結晶ウエーハ。
Fターム (12件)：
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077BA04
, 4G077CF05
, 4G077CF10
, 4G077EC10
, 4G077EH09
, 4G077FE13
, 4G077FG11
, 4G077GA06
, 4G077HA12
, 4G077PB05
