特許

J-GLOBAL ID：200903021553943399

有用層で被覆された一対の基板の同時製造方法

発明者： ギゼルン、ブルーノ ,  オーネット、セシル ,  バタヨー、ベヌワ ,  マズル、カルロ ,  モリショー、ウベール
出願人/特許権者： エス オー イ テク シリコン オン インシュレータ テクノロジース ,  コミツサリア タ レネルジー アトミーク
代理人 (3件)： 花村 太 ,  佐藤 正年 ,  佐藤 年哉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-508351
公開番号（公開出願番号）：特表2006-527478
出願日： 2004年06月03日
公開日（公表日）： 2006年11月30日
要約：

基板(71, 2)に移載された有用層(110, 120)をそれぞれ備えた少なくとも一対の構造体(51, 52)の同時製造法に関する。この方法は特にa)支持基板(2)に移載された有用層を有する第1段階の構造体を準備する工程、b)有用層の内部に脆弱ゾーンを形成して前面有用層(110)と後面有用層(120)との境界を定める工程、c)前面有用層(110)に固定用基板(71)を貼着する工程、及びd)この積層体を脆弱ゾーン(6)に沿って分離させ、支持基板(2)と後面有用層(120)とを有する第1構造体(51)及び固定用基板(71)と前面有用層(110)とを有する第2構造体(52)の二つの第2段階の構造体を得る工程を備えたことを特徴とする。電子工学、光電子工学又は光学分野に利用される。

請求項（抜粋）：

電子工学、光電子工学又は光学分野における利用のために基板(71, 2)に移載された少なくとも一つの有用層(110, 120)をそれぞれ備えた少なくとも一対の構造体を同時に製造する方法であって、 a)支持基板(2)に移載された有用層(11)を有する第1段階の構造体(5, 5')を準備する工程、 b)第1段階の構造体の有用層(11)の内部に原子種の注入により脆弱ゾーン(6)を形成して前面有用層(110)及び該前面有用層(110)と支持基板(2)との間に位置する後面有用層(120)の二層(110, 120)の境界を定める工程、 c)前面有用層(110)の自由表面(130)に固定用基板(71)を貼着する工程、及び d)工程cで得られた積層体に応力を適用することにより脆弱ゾーン(6)に沿って分離させ、少なくとも支持基板(2)と後面有用層(120)とを有する第1構造体(51, 51')及び少なくとも固定用基板(71)と前面有用層(110)とを有する第2構造体(52, 52')の二つの第2段階の構造体(51, 51', 52, 52')を得る工程、 を備えたことを特徴とする、有用層で被覆された一対の基板の同時製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/265 ,  H01L 27/12

FI (3件)：

H01L21/02 B ,  H01L21/265 Q ,  H01L27/12 B

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 国際公開第01/115218号パンフレット
  
• 欧州特許出願公開第0867921号明細書
  
• 米国特許出願公開第2002/068418号明細書
  

審査官引用 (3件)

• 薄膜半導体、太陽電池および発光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-053354   出願人：ソニー株式会社
• 基板及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-072007   出願人：キヤノン株式会社
• 半導体ウェハ及びその製作法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-015756   出願人：信越半導体株式会社