特許

J-GLOBAL ID：200903045601614420

薄膜半導体、太陽電池および発光素子の製造方法

発明者： 田舎中 博士
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-053354
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135500
出願日： 1997年03月07日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】 フレキシブルで、各種基板と一体化できる結晶性にすぐれたシリコン等の薄膜半導体を安価に製造することができ、これにより太陽電池を安価に製造することができるようにする。【解決手段】 半導体基体表面を変化させて多孔質度が異なる2層以上の層から構成される多孔質層12を形成し、多孔質層12の表面に太陽電池などの半導体膜13を成膜し、この半導体膜13を多孔質層12を介して半導体基体から剥離する。

請求項（抜粋）：

半導体基体表面を変化させて多孔率が異なる2層以上の層から構成される多孔質層を形成する工程と、該多孔質層の表面に半導体膜を成長させる工程と、該半導体膜を上記多孔質層を介して半導体基体から剥離する工程とを有することを特徴とする薄膜半導体の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01L 31/04 X ,  H01L 33/00 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特許第3257580号
  
• 半導体基板の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-045441   出願人：キヤノン株式会社
• 薄膜ダイヤモンドの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-288453   出願人：シャープ株式会社
• 特許第3777668号