特許
J-GLOBAL ID：200903021583956240
薄膜積層型導電体
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-092828
公開番号（公開出願番号）：特開平10-275683
出願日： 1997年03月28日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：
【要約】【課題】ヒロックがなく、抵抗の小さな、Al系合金からなる金属薄膜と透明導電性薄膜の積層型導電体を提供する。【解決手段】透明な基板上1の、パターニングされたAlまたはAl系合金からなる金属薄膜である第1の導電体2およびパターニングされた金属酸化物からなる透明導電性薄膜である第2の導電体からなり、第1の導電体は基板側でありその上に第2の導電体が積層されている部分を少なくとも有する薄膜積層型導電体において、前記透明導電性薄膜3aをアモルファス状とする。あるいは、前記第1の導電体を高融点金属からなる金属薄膜により被覆されたAlまたはAl系合金からなる積層膜とする。
請求項（抜粋）：
透明な基板上の、パターニングされたAlまたはAl系合金からなる金属薄膜である第1の導電体およびパターニングされた金属酸化物からなる透明導電性薄膜である第2の導電体からなり、第1の導電体は基板側でありその上に第2の導電体が積層されている部分を少なくとも有する薄膜積層型導電体において、前記透明導電性薄膜はアモルファス状であることを特徴とする薄膜積層型導電体。
引用特許：
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