特許
J-GLOBAL ID：200903021584300372
低誘電率の材料の表面を洗浄する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西教 圭一郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-199668
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044160
出願日： 1999年07月13日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：
【要約】【課題】低誘電率材料の表面を洗浄する方法を提供すること。【解決手段】窒素を含むプラズマを使用して、低誘電率有機材料層の上のフォトレジスト層の実質的に大部分を除去し、その後に低誘電率有機材料層の露出表面上にオキシ窒化ケイ素層を形成する。プラズマプロセスの残留フォトレジスト層を溶媒で膨潤させる。次に酸素プラズマを使用して、膨潤した残留フォトレジスト層を除去する。酸素プラズマで洗浄すると、低誘電率有機材料層の上にオキシ窒化物の薄膜が形成される。オキシ窒化ケイ素層の保護により、低誘電率有機材料層の断面形状のゆがみを防止することができる。
請求項（抜粋）：
低誘電率層の上にある材料層を除去する際の使用に適した、低誘電率材料層の表面を洗浄する方法において、第1の洗浄工程を実施し、前記第1の洗浄工程の後にウェットエッチング工程を行い、前記ウェットエッチング工程の後に第2の洗浄工程を行うことから成ることを特徴とする方法。
IPC (5件)：
H01L 21/304 645
, B08B 3/12
, G03F 7/42
, H01L 21/027
, H01L 21/306
H01L 21/304 645 C
, B08B 3/12 A
, G03F 7/42
, H01L 21/30 572 B
, H01L 21/306 D
2H096AA25
, 2H096CA05
, 2H096LA02
, 2H096LA08
, 2H096LA09
, 2H096LA30
, 3B201AA01
, 3B201BB02
, 3B201BB82
, 3B201BB92
, 3B201BB99
, 3B201CB11
, 5F043AA37
, 5F043AA40
, 5F043CC16
, 5F043DD12
, 5F043DD15
, 5F043DD30
, 5F043GG10
, 5F046MA12
, 5F046MA18
