特許

J-GLOBAL ID：200903021592626864

成膜装置

発明者： 關 仁士
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-019270
公開番号（公開出願番号）：特開2004-231994
出願日： 2003年01月28日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：

【課題】真空槽内に成膜源を有し、基板の成膜処理を行う成膜装置あって、所望する薄膜形成が可能となる成膜装置を提供する。【解決手段】成膜時に、基板1の角度を変更する手段と、基板1と成膜源(図示せず)との距離を変更する手段を備える成膜装置である。また、基板1の冷却手段および基板公転プレート3の中央に膜厚センサー19を備える成膜装置である。【効果】成膜時の基板の角度および基板と成膜源間の距離を変更することができ、成膜条件の異なる多層膜の連続成膜および経時変化にも対応した安定した成膜が可能となる。また、成膜時の基板温度の上昇を抑制することで、高品位な成膜が可能となる。更に、基板に対する成膜を遮ることなく基板公転プレートの中央部に膜厚センサーを設置することで、成膜時の高精度な膜厚管理ができる。以上により、高精度の電子部品に対応した所望する手段を有する成膜装置の提供が可能となる。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

真空槽内に成膜源と、公転する基板公転プレートと、前記基板公転プレートに基板を保持する基板ホルダーとを備える成膜装置であって、 成膜時に前記基板と前記成膜源間の距離を変更する手段と、 前記基板の角度を変更する手段とを備えることを特徴とする成膜装置。

IPC (1件)：

C23C14/50

FI (3件)：

C23C14/50 E ,  C23C14/50 G ,  C23C14/50 K

Fターム (8件)：

4K029BC00 ,  4K029BD00 ,  4K029CA17 ,  4K029DA00 ,  4K029EA01 ,  4K029EA08 ,  4K029JA02 ,  4K029JA03

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-277773
  
• 薄膜形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-059492   出願人：三菱電機株式会社
• 真空蒸着用基板傾斜自公転装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-302913   出願人：日本真空技術株式会社
• 特開平3-103308