Si系半導体薄膜の製造方法、薄膜トランジスタ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-296352
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110542
出願日： 2000年09月28日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】移動度などの膜電気特性がよく、膜の汚染を防ぐ事の可能な、Si系半導体薄膜の製造方法、このSi系半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】本発明は絶縁性基板11上にアモルファスのSi系半導体層12を形成する工程と、アモルファスのSi系半導体層12の上に絶縁性層13を形成してパターニングする工程と、Si系半導体12の結晶化の臨界エネルギー以上のエネルギーのレーザーをSi系半導体層12に間欠的に複数回照射するレーザー照射工程とを具備することを特徴とするSi系半導体薄膜の製造方法を提供する。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上にアモルファスのSi系半導体層を形成する工程と、アモルファスの前記Si系半導体層の上に絶縁性層を形成してパターニングする工程と、前記Si系半導体の結晶化の臨界エネルギー以上のエネルギーのレーザーを前記Si系半導体層に間欠的に複数回照射するレーザー照射工程とを具備することを特徴とするSi系半導体薄膜の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 F , H01L 27/04 P , H01L 29/78 627 G

Fターム (60件)：

5F038AR07 , 5F038AR09 , 5F038AR12 , 5F038EZ06 , 5F038EZ14 , 5F038EZ17 , 5F052AA02 , 5F052AA18 , 5F052BB07 , 5F052CA04 , 5F052DA01 , 5F052DB01 , 5F052DB07 , 5F052EA01 , 5F052EA02 , 5F052EA07 , 5F052FA22 , 5F052JA01 , 5F052JA06 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110CC08 , 5F110DD02 , 5F110EE04 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG16 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HK03 , 5F110HK33 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL23 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110PP23 , 5F110PP31 , 5F110PP40 , 5F110QQ11 , 5F110QQ12

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体薄膜の結晶化方法及びそれを用いた半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-061082 出願人：富士通株式会社
半導体材料およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-080799 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平4-288817

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