半導体薄膜の結晶化方法及びそれを用いた半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柏谷昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-061082
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260709
出願日： 1999年03月09日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】半導体薄膜の結晶化方法及びそれを用いた半導体装置に関し、レーザ照射のみによって、半導体薄膜の結晶粒径を再現性良く大きくする。【解決手段】絶縁性基板1上にシリコンを主成分とする非単結晶半導体薄膜2を成膜したのち、非単結晶半導体薄膜2上に絶縁膜パターン3を選択的に形成し、次いで、レーザ光4を照射して、非単結晶半導体薄膜2を絶縁膜パターン3の端部から中央部に向かって結晶化する。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上にシリコンを主成分とする非単結晶半導体薄膜を成膜したのち、前記非単結晶半導体薄膜上に絶縁膜パターンを選択的に形成し、次いで、レーザ光を照射して、前記非単結晶半導体薄膜を前記絶縁膜パターンの端部から中央部に向かって結晶化する工程を有することを特徴とする半導体薄膜の結晶化方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 F , H01L 29/78 627 G

Fターム (30件)：

5F052AA02 , 5F052AA11 , 5F052BB01 , 5F052BB07 , 5F052CA04 , 5F052DA02 , 5F052DB03 , 5F052EA02 , 5F052EA11 , 5F052FA27 , 5F052JA01 , 5F110AA01 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110FF02 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG16 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG45 , 5F110PP04 , 5F110PP11 , 5F110PP24 , 5F110QQ04 , 5F110QQ09

引用特許：

審査官引用 (7件)

薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-001583 出願人：セイコーエプソン株式会社
半導体結晶の形成方法及び半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-086835 出願人：ソニー株式会社
薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-231699 出願人：三菱電機株式会社

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