特許

J-GLOBAL ID：200903021624946645

β-FeSi2結晶の製造方法および製造装置

発明者： 鵜殿 治彦 ,  菊間 勲
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-182138
公開番号（公開出願番号）：特開2002-003300
出願日： 2000年06月16日
公開日（公表日）： 2002年01月09日
要約：

【要約】【課題】 大型の半導体鉄シリサイド結晶の製造。【構成】 溶融したGaまたはZnを溶媒とし、FeSi2 を原料として溶媒表面に接触させるとともに結晶析出部材を溶媒表面に接触させて、原料部より結晶析出部が低温となるように加熱することにより溶媒中に溶解したFeSi2 を結晶析出部に析出させてβ-FeSi2 を結晶成長させることを特徴とする半導体β-FeSi2 結晶の製造方法および製造装置。β-FeSi2 種結晶を用いることにより単結晶β-FeSi2 を析出させることができる。結晶成長の進行に合わせて原料部と結晶析出部の温度分布の変動を防止する。

請求項（抜粋）：

溶融したGaまたはZnを溶媒とし、FeSi2 を原料として溶媒表面に接触させるとともに結晶析出部材を溶媒表面に接触させて、原料部より結晶析出部が低温となるように加熱することにより溶媒中に溶解したFeSi2 を結晶析出部に析出させてβ-FeSi2 を結晶成長させることを特徴とする半導体β-FeSi2 結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/52 ,  C30B 9/10 ,  H01L 21/368

FI (3件)：

C30B 29/52 ,  C30B 9/10 ,  H01L 21/368 Z

Fターム (13件)：

4G077AA02 ,  4G077BE05 ,  4G077CC04 ,  4G077EG01 ,  4G077EG11 ,  4G077EH07 ,  5F053AA22 ,  5F053AA33 ,  5F053AA50 ,  5F053BB06 ,  5F053DD20 ,  5F053GG01 ,  5F053HH10

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 鉄シリサイド結晶の製造方法。
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-043955   出願人：科学技術振興事業団
• 金属間化合物融液を用いた高融点シリサイド結晶成長法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-248700   出願人：静岡大学長

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 半導体鉄シリサイドバルク結晶の溶液成長