特許

J-GLOBAL ID：200903047831637317

鉄シリサイド結晶の製造方法。

発明者： 鵜殿 治彦
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-043955
公開番号（公開出願番号）：特開2000-247624
出願日： 1999年02月22日
公開日（公表日）： 2000年09月12日
要約：

【要約】【課題】 成長温度が低く且つ成長速度の速い新規な鉄シリサイド結晶の成長方法の提供。【構成】 In、Ga、Zn、Sn、またはBiを溶媒とし、これに溶質としてFeとSiとを溶解した少なくとも3元の飽和溶液を所定温度範囲で冷却することにより該溶液からα-FeSi2 またはβ-FeSi2 を析出させ、結晶成長させる。

請求項（抜粋）：

In、Ga、Zn、Sn、またはBiを溶媒とし、これに溶質としてFeとSiとを溶解した少なくとも3元の飽和溶液を所定温度範囲で冷却することにより該溶液からα-FeSi2 またはβ-FeSi2 を析出させ、結晶成長させることを特徴とする鉄シリサイド結晶の製造方法。

IPC (4件)：

C01B 33/06 ,  C22C 1/00 ,  H01L 35/16 ,  H01L 35/34

FI (4件)：

C01B 33/06 ,  C22C 1/00 Q ,  H01L 35/16 ,  H01L 35/34

Fターム (10件)：

4G072AA20 ,  4G072BB11 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072JJ09 ,  4G072MM01 ,  4G072MM38 ,  4G072NN03 ,  4G072NN24 ,  4G072UU01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体素子及び太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-250502   出願人：キヤノン株式会社
• シリコン薄板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-347767   出願人：東燃株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-028064   出願人：ソニー株式会社
• 薄膜多結晶Si太陽電池の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-098144   出願人：キヤノン株式会社