特許
J-GLOBAL ID：200903021631229800
多結晶シリコン薄膜の形成方法および多結晶シリコン薄膜トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-122018
公開番号（公開出願番号）：特開平10-312962
出願日： 1997年05月13日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：
【要約】【課題】 均一性がよく高移動度な多結晶シリコン薄膜の形成を可能とする。【解決手段】 絶縁基板上に第1のシリコン薄膜2を形成し、これをエキシマレーザ照射により多結晶シリコン化し、第1の多結晶シリコン薄膜4とする。次にこの上に第2のシリコン薄膜5を形成し、再度エキシマレーザにより多結晶化を行う。この時、第2のエキシマレーザ照射によるシリコンの溶融深さを制御し、該第1の多結晶シリコン薄膜を完全には溶融しないようにし、これを核として再結晶化を行うことによって第1の多結晶シリコン薄膜の粒径を反映した多結晶シリコン薄膜を得る。従来方法に比べ低いエネルギ密度の照射ですむため粒の凸凹や表面荒れが小さく、均一性の高い膜が得られる。また、第1の多結晶シリコン薄膜の粒径は低いエネルギ密度でも従来より大きな粒径のものが得られるので、最終的な粒径も大きなものが得られ、これにより高移動度化が実現される。
請求項（抜粋）：
少なくとも表面が絶縁性の基板上に第1のシリコン薄膜を形成する工程と、この第1のシリコン薄膜をエキシマレーザ照射により多結晶化する工程と、該多結晶化した第1のシリコン薄膜の上から第2のシリコン薄膜を形成する工程と、この第2のシリコン薄膜を第1のシリコン薄膜を核として多結晶化する工程とからなることを特徴とする多結晶シリコン薄膜の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/20
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/20
, H01L 29/78 627 G
