抵抗変化素子の製造方法および不揮発性抵抗変化メモリデバイスの製造方法、並びに不揮発性抵抗変化メモリデバイス

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山本秀策 , 安村高明 , 大塩竹志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-381979
公開番号（公開出願番号）：特開2004-241396
出願日： 2002年12月27日
公開日（公表日）： 2004年08月26日
要約：

【課題】不揮発性抵抗変化メモリデバイスの回路歩留まりを向上させるとともに、メモリ性能を向上させる。【解決手段】シリコン基板を準備する工程と、基板上にシリコン酸化層を形成する工程と、シリコン酸化層上に、白金およびイリジウムからなる金属の群から選択される金属によって第1金属層を形成する工程と、第1金属層上にペロブスカイト金属酸化薄膜を形成する工程と、ペロブスカイト金属酸化薄膜上に、白金およびイリジウムからなる金属の群から選択される金属によって第2金属層を堆積する工程と、第2金属層を堆積する工程によって得られる積層構造体を約400°C〜700°Cの温度で、約5分〜3時間アニーリングする工程と、第1金属層と第2金属層との間の抵抗を変化させる工程とを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン基板を準備する工程と、該基板上にシリコン酸化層を形成する工程と、該シリコン酸化層上に、白金およびイリジウムからなる金属の群から選択される金属によって第1金属層を形成する工程と、該第1金属層上にペロブスカイト金属酸化薄膜を形成する工程と、該ペロブスカイト金属酸化薄膜上に、白金およびイリジウムからなる金属の群から選択される金属によって第2金属層を堆積する工程と、該第2金属層を堆積する工程によって得られる積層構造体を約400°C〜700°Cの温度で、約5分〜3時間アニーリングする工程と、前記第1金属層と第2金属層との間の抵抗を変化させる工程と、を含む抵抗変化素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L45/00 , H01L27/10

FI (2件)：

H01L45/00 C , H01L27/10 451

Fターム (4件)：

5F083FZ10 , 5F083JA38 , 5F083JA45 , 5F083PR34

引用特許：

審査官引用 (4件)

誘電体薄膜の製造方法および該製造方法によって作製された誘電体薄膜
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-143243 出願人：シャープ株式会社
強誘電体薄膜素子の製造方法及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-074765 出願人：シャープ株式会社
特許第6204139号

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