プラズマ処理方法および装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-231202
公開番号（公開出願番号）：特開平10-074599
出願日： 1996年08月30日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：

【要約】【課題】従来のプラズマ源であると、大口径かつ均一なプラズマを得ることが困難であり、また、チャンバ壁からのコンタミネーションの問題が発生するという欠点があった。【解決手段】チャンバ2内へと高周波電界および磁界を導入することにより、このチャンバ2内に低域混成波を励起し、この低域混成波によりプラズマを発生させてチャンバ2内に導入された基板3aのプラズマ処理を行う。

請求項（抜粋）：

チャンバ内へと高周波電界および磁界を導入することにより、このチャンバ内に低域混成波を励起し、この低域混成波によりプラズマを発生させて前記チャンバ内に導入された基板のプラズマ処理を行うことを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (7件)：

H05H 1/46 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H01L 21/027 , H01L 21/3065 , H01L 21/304 341 , H05H 1/16

FI (8件)：

H05H 1/46 L , H05H 1/46 A , C23F 4/00 G , H01L 21/205 , H01L 21/304 341 D , H05H 1/16 , H01L 21/30 572 A , H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭57-084587
プラズマ加熱機構を有するプラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-206422 出願人：株式会社日立製作所
特開昭62-180747

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