半導体レーザ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柳田征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-187353
公開番号（公開出願番号）：特開平10-032364
出願日： 1996年07月17日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
要約：

【要約】【課題】分離閉じ込めヘテロ構造のIII-V族半導体レーザにおいて、高出力発振下における信頼性を向上させる。【解決手段】 n-GaAs基板1上に、n-Inx4(Ga1-z4Alz4)1-x4As1-y4Py4 クラッド層2、n-Inx3(Ga1-z3Alz3)1-x3As1-yPy光導波層3、Inx2(Ga1-z2Alz2)1-x2As1-yPy圧縮歪障壁層4、Inx1Ga1-x1As1-yPy 引張り歪量子井戸活性層5、Inx2(Ga1-z2Alz2)1-x2As1-yPy圧縮歪障壁層6、p-Inx3(Ga1-z3Alz3)1-x3As1-yPy光導波層7、p-Inx4(Ga1-z4Alz4)1-x4As1-y4Py4 クラッド層8、p-GaAsコンタクト層9を順次成長させる。なお、障壁層4、6は、活性層5の引張り歪を補償する歪量の圧縮歪を有するものとする。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上に、少なくとも第一導電型クラッド層、第一光導波層、第一障壁層、量子井戸活性層、第二障壁層、第二光導波層および第二導電型クラッド層が順次積層されてなる分離閉じ込めヘテロ構造のIII-V族半導体レーザにおいて、前記量子井戸活性層が、V族組成としてAs,P 元素を含む、前記GaAs基板に対して引張り歪を有する組成からなり、前記量子井戸活性層を挟む前記第一および第二障壁層が、In,Ga,Al,As,Pの5元を含む、前記引張り歪を補償する圧縮歪を有する組成からなり、前記第一および第二光導波層が、In,Ga,Al,As,P の5元を含む、前記GaAs基板に格子整合する組成からなり、前記第一および第二導電型クラッド層が、前記GaAs基板に格子整合する組成からなり、前記量子井戸活性層と、前記第一および第二障壁層と、前記第一および第二光導波層とのV族組成As, P が同じ組成比であることを特徴とするIII-V族半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-122379 出願人：富士写真フイルム株式会社
半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-320021 出願人：三洋電機株式会社
特開平4-039986

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