特許
J-GLOBAL ID：200903021751930510

セラミック電子部品のめっき方法、及びセラミック電子部品

発明者：
上田 佳功

上田 佳功 について

, 
国司 多通夫

国司 多通夫 について


出願人/特許権者：
株式会社村田製作所

株式会社村田製作所 について


代理人 (1件)： 國弘 安俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-243176
公開番号（公開出願番号）：特開2004-083942
出願日： 2002年08月23日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：
【課題】本来めっきされるべきでない半導体セラミック素体上へのめっき成長を抑制することができるようにする。【解決手段】めっき析出するNiとキレートを形成する錯化剤(例えば、グルタミン酸)をNiめっき液4に添加して水素イオン指数pHが6〜12となるように該Niめっき液4を調製し、さらに半導体セラミック素体から溶出するCu等の溶出イオンをマスキングするマスキング剤(例えば、キノリン化合物)をNiめっき液4に添加し、該Niめっき液4を使用して電解めっきを行なう。また、前記溶出イオンを還元するハイドロキノンを担持したフィルタが充填された濾過器9を循環パイプ10a、10bを介してめっき槽5と接続し、Niめっき液4を濾過器9で濾過しながら電解めっきを行ない、前記溶出イオンを還元除去する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
めっき析出する第1の金属成分よりも酸化還元電位が電気化学的に貴な電位を有する第2の金属成分を含むセラミック素体を、めっき液に接触させて電解めっきを施し、前記セラミック素体の表面に形成された導電部にめっき皮膜を形成するセラミック電子部品のめっき方法において、 前記第1の金属成分とキレートを形成する錯化剤を使用して水素イオン指数pHが6〜12となるように前記めっき液を調製し、さらに前記第2の金属成分をマスキングするマスキング剤を前記めっき液に添加し、該めっき液を使用して前記電解めっきを施すことを特徴とするセラミック電子部品のめっき方法。
IPC (4件)：
C25D5/02 ,  C25D3/02 ,  C25D5/54 ,  C25D21/18
FI (4件)：
C25D5/02 ,  C25D3/02 ,  C25D5/54 ,  C25D21/18 G
Fターム (43件)：
4K023AA11 ,  4K023AA12 ,  4K023AA15 ,  4K023AA17 ,  4K023AA18 ,  4K023AB14 ,  4K023AB24 ,  4K023AB25 ,  4K023AB28 ,  4K023AB33 ,  4K023BA06 ,  4K023BA08 ,  4K023BA15 ,  4K023CB03 ,  4K023CB08 ,  4K023CB11 ,  4K023CB14 ,  4K023CB21 ,  4K023DA04 ,  4K023DA06 ,  4K023DA07 ,  4K023DA08 ,  4K024AA02 ,  4K024AA03 ,  4K024AA05 ,  4K024AA07 ,  4K024AA08 ,  4K024AA14 ,  4K024AA17 ,  4K024AA21 ,  4K024AB02 ,  4K024AB08 ,  4K024BA01 ,  4K024BA15 ,  4K024BB09 ,  4K024BC10 ,  4K024CA02 ,  4K024CA03 ,  4K024CA04 ,  4K024CA06 ,  4K024CB26 ,  4K024FA01 ,  4K024GA16
引用特許：
出願人引用 (10件)
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