特許

J-GLOBAL ID：200903021768038301

スピントランスファー方式により電流書き込みを行ない、かつスピントランスファートルクによる書き込み電流密度を小さくした磁性素子

発明者： フアイ,イミン ,  ジャオ,チータオ ,  パンチュラ,アレックス ,  チェン,ユージィン ユージュン ,  ワン,リエン-チャン
出願人/特許権者： グランディス,インコーポレーテッド
代理人 (4件)： 平木 祐輔 ,  関谷 三男 ,  松丸 秀和 ,  大塩 剛
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-547547
公開番号（公開出願番号）：特表2009-521807
出願日： 2006年12月21日
公開日（公表日）： 2009年06月04日
要約：

一つ以上のスピン拡散層を有することにより電子スピンをMTJの外に拡散させる磁気トンネル接合または磁気抵抗トンネル接合(MTJ)、及びスピンバルブのような磁性多層膜構造、または自由層の磁化を反転させるためのスピントランスファートルクによる書き込み電流を小さくしたスピンバルブ構造。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

変化させることができる磁化方向を有する強磁性自由層と、 所定方向に沿って固定される磁化方向を有する強磁性ピン止め層と、 前記強磁性自由層と前記強磁性ピン止め層との間に形成される中間層と、 前記強磁性自由層に隣接し、かつ前記強磁性自由層及び前記強磁性ピン止め層、及び前記中間層によって形成される構造の外側に配置されるスピン拡散層と、を備え、スピン拡散層は電子と相互作用して電子スピンを拡散させる、デバイス。

IPC (6件)：

H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/10 ,  H01L 29/82 ,  G11C 11/15

FI (5件)：

H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  H01L43/10 ,  H01L29/82 Z ,  G11C11/15 150

Fターム (34件)：

4M119AA03 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC05 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD10 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  5F092AA01 ,  5F092AB08 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD12 ,  5F092AD25 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB31 ,  5F092BB33 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB51 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC08 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BC46

引用特許：

審査官引用 (2件)

• スピン注入デバイス及びこれを用いた磁気装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-410966   出願人：独立行政法人科学技術振興機構
• 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-313092   出願人：株式会社東芝