特許
J-GLOBAL ID：200903014221774180
スピン注入デバイス及びこれを用いた磁気装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
平山 一幸
, 海津 保三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-410966
公開番号（公開出願番号）：特開2004-207707
出願日： 2003年12月09日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：
【課題】 小さな電流密度でスピン注入磁化反転することができる、スピン注入デバイス及びスピン注入磁気装置並びにスピン注入磁気メモリ装置を提供する。【解決手段】 強磁性固定層26を含むスピン偏極部9と非磁性層の注入接合部7とからなるスピン注入部1と、スピン注入部1に接して設けられる強磁性フリー層27と、を含むスピン注入デバイス14において、非磁性層7が絶縁体12または導電体25からなり、強磁性フリー層27の表面に非磁性層28が設けられ、スピン注入デバイス14の膜面垂直方向に電流を流し、強磁性フリー層27の磁化を反転させる。超ギガビット大容量・高速・不揮発のMRAMをはじめ種々の磁気装置や磁気メモリ装置に利用できる。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
スピン偏極部と注入接合部とを有するスピン注入部と、
非磁性層を介して磁気的に反平行に結合した磁化の大きさが異なる第1の磁性層及び第2の磁性層を有するSyAFと、を備え、
上記SyAFと上記注入接合部とが接合しており、
上記スピン注入部からスピン偏極電子を注入し上記第1の磁性層及び上記第2の磁性層の磁化が反平行状態を維持したまま磁化反転する、スピン注入デバイス。
IPC (6件)：
H01L29/82
, C22C19/07
, G11C11/15
, H01F10/32
, H01L27/105
, H01L43/08
H01L29/82 Z
, C22C19/07 C
, G11C11/15 112
, H01F10/32
, H01L43/08 Z
, H01L27/10 447
5E049AA04
, 5E049AC05
, 5E049BA30
, 5E049CB02
, 5E049DB14
, 5E049GC01
, 5F083FZ10
, 5F083HA02
, 5F083HA06
, 5F083JA37
, 5F083JA39
出願人引用 (1件)
審査官引用 (7件)
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