特許
J-GLOBAL ID:200903018982825000
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
日向寺 雅彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-313092
公開番号(公開出願番号):特開2005-085821
出願日: 2003年09月04日
公開日(公表日): 2005年03月31日
要約:
【課題】 フリー層のスイッチング磁界の「ばらつき」を抑えることができる磁気抵抗効果素子及びこれを用いた磁気メモリを提供することを目的とする。【解決手段】 磁化方向が実質的に一方向に固着された第1の強磁性体膜を含む磁化固着層と、前記磁化固着層の上に設けられた非磁性層と、前記非磁性層の上に設けられ、磁化方向が外部磁界に対応して変化する第2の強磁性体膜を含む磁化自由層と、前記磁化自由層の上に設けられた非結晶質の導電層と、を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子を提供する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
磁化方向が実質的に一方向に固着された第1の強磁性体膜を含む磁化固着層と、
前記磁化固着層の上に設けられた非磁性層と、
前記非磁性層の上に設けられ、磁化方向が外部磁界に対応して変化する第2の強磁性体膜を含む磁化自由層と、
前記磁化自由層の上に設けられた非結晶質の導電層と、
を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (7件):
H01L43/08
, C22C27/02
, G01R33/09
, G11B5/39
, H01F10/32
, H01L27/105
, H01L43/10
FI (7件):
H01L43/08 Z
, C22C27/02 103
, G11B5/39
, H01F10/32
, H01L43/10
, H01L27/10 447
, G01R33/06 R
Fターム (18件):
2G017AA10
, 2G017AD55
, 5D034BA05
, 5E049AA04
, 5E049AC01
, 5E049BA25
, 5E049CB01
, 5F083FZ10
, 5F083GA12
, 5F083JA02
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA60
, 5F083MA06
, 5F083MA16
, 5F083MA19
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (10件)
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磁気抵抗効果素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-092565
出願人:アルプス電気株式会社
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磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果型ヘッド
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-036766
出願人:松下電器産業株式会社
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磁気メモリ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-325593
出願人:シャープ株式会社
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薄膜磁気ヘッド
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-346034
出願人:アルプス電気株式会社
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磁気メモリ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-007879
出願人:株式会社東芝
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マルチチャンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-072544
出願人:ソニー株式会社
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磁気検出素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-086553
出願人:キヤノン電子株式会社
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磁気抵抗効果素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-011034
出願人:株式会社東芝
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電子部品及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-119887
出願人:株式会社東芝
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磁気検出センサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-033890
出願人:ソニー・プレシジョン・テクノロジー株式会社, ナノテック株式会社, 浜松光電株式会社
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