特許
J-GLOBAL ID：200903018982825000

磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ

発明者：
斉藤 好昭

斉藤 好昭 について

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天野 実

天野 実 について

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沢 孝雄

沢 孝雄 について

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岩田 佳久

岩田 佳久 について

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清水 有威

清水 有威 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-313092
公開番号（公開出願番号）：特開2005-085821
出願日： 2003年09月04日
公開日（公表日）： 2005年03月31日
要約：
【課題】 フリー層のスイッチング磁界の「ばらつき」を抑えることができる磁気抵抗効果素子及びこれを用いた磁気メモリを提供することを目的とする。【解決手段】 磁化方向が実質的に一方向に固着された第1の強磁性体膜を含む磁化固着層と、前記磁化固着層の上に設けられた非磁性層と、前記非磁性層の上に設けられ、磁化方向が外部磁界に対応して変化する第2の強磁性体膜を含む磁化自由層と、前記磁化自由層の上に設けられた非結晶質の導電層と、を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子を提供する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
磁化方向が実質的に一方向に固着された第1の強磁性体膜を含む磁化固着層と、 前記磁化固着層の上に設けられた非磁性層と、 前記非磁性層の上に設けられ、磁化方向が外部磁界に対応して変化する第2の強磁性体膜を含む磁化自由層と、 前記磁化自由層の上に設けられた非結晶質の導電層と、 を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (7件)：
H01L43/08 ,  C22C27/02 ,  G01R33/09 ,  G11B5/39 ,  H01F10/32 ,  H01L27/105 ,  H01L43/10
FI (7件)：
H01L43/08 Z ,  C22C27/02 103 ,  G11B5/39 ,  H01F10/32 ,  H01L43/10 ,  H01L27/10 447 ,  G01R33/06 R
Fターム (18件)：
2G017AA10 ,  2G017AD55 ,  5D034BA05 ,  5E049AA04 ,  5E049AC01 ,  5E049BA25 ,  5E049CB01 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA12 ,  5F083JA02 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (10件)
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