特許

J-GLOBAL ID：200903021825677855

成膜方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 徳増 徳 ,  前田 和夫
出願人/特許権者： キヤノン販売株式会社 ,  株式会社半導体プロセス研究所
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-288787
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135203
出願日： 1996年10月30日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】半導体集積回路装置の配線層等を被覆する平坦化された層間絶縁膜の成膜方法に関し、平坦化のための流動化温度を飛躍的に低下させる。【解決手段】III 価のリンを有し、かつ少なくともリンの結合手の一つに酸素が結合したリン含有化合物を含む反応ガスを用いて、P2O3を含むシリコン含有絶縁膜14を被堆積基板101上に形成する。

請求項（抜粋）：

III 価のリンを有し、かつ少なくともリンの結合手の一つに酸素が結合したリン含有化合物を含む反応ガスを用いて、P2O3を含むシリコン含有絶縁膜を被堆積基板上に形成することを特徴とする成膜方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/316 H ,  H01L 21/90 K

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 低温フローのBPSGを形成するプラズマCVDプロセス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-050073   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-297042   出願人：キヤノン販売株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所
• 特開平4-320338