特許
J-GLOBAL ID:200903021836882450

表面放射光学デバイス

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-515127
公開番号(公開出願番号):特表2008-543098
出願日: 2006年06月02日
公開日(公表日): 2008年11月27日
要約:
単一モード動作に適したレーザを放射する可視光波長の垂直キャビティ表面は、デバイスの中央の軸部分(143)の中で電流を濃縮するための酸化物アパーチャ(81,82)と、実質的に単一の横動作モードのために選択するデバイスの出力表面における表面レリーフ特徴と、を持つ。酸化物閉じ込め構造直径(140)と表面レリーフ特徴直径との間の関係が、単一モード動作のための最適条件を提供し、630nmから690nmの間の可視のデバイス動作波長バンドでの最適のデバイス性能を生み出すためのその空間の領域を規定するためにマップされた。
請求項(抜粋):
630nmから690nmの範囲の波長を持った光学出力を生成するよう適合されたキャビティを有する垂直キャビティ表面放射光学デバイスであって、該デバイスは、そのデバイスの中央の軸部分の中で電流を濃縮するための酸化物アパーチャと、実質的に単一の横動作モードを選択するよう適合されたデバイスの出力表面における表面レリーフ特徴と、を含むことを特徴とする垂直キャビティ表面放射光学デバイス。
IPC (1件):
H01S 5/183
FI (1件):
H01S5/183
Fターム (11件):
5F173AC03 ,  5F173AC13 ,  5F173AC35 ,  5F173AC42 ,  5F173AC52 ,  5F173AG05 ,  5F173AH02 ,  5F173AP32 ,  5F173AP36 ,  5F173AP47 ,  5F173AR33
引用特許:
審査官引用 (3件)

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