特許
J-GLOBAL ID：200903023285061585
面発光レーザ素子および面発光レーザアレイおよび面発光レーザモジュールおよび電子写真システムおよび光インターコネクションシステムおよび光通信システムおよび面発光レーザ素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-202427
公開番号（公開出願番号）：特開2005-044964
出願日： 2003年07月28日
公開日（公表日）： 2005年02月17日
要約：
【課題】単一基本横モード発振において、高出力動作が得られ、更に素子抵抗が低く、高速動作が可能な面発光レーザ素子を提供する。【解決手段】正孔通路の途中には、イオン注入によって設けられた高抵抗領域116と高抵抗領域116によって囲まれた導通領域117とによって構成された、活性層106への正孔注入領域を規定する正孔狭窄構造が設けられ、また、正孔狭窄構造とは別に、Alを構成元素として含む半導体層を選択酸化してなる選択酸化領域115と選択酸化領域115によって囲まれた非酸化領域114とによって構成された高次横モード抑制構造が設けられており、高次横モード抑制構造の非酸化領域114は、正孔狭窄構造の導通領域117よりも小さな面積を有している。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
活性層と、活性層を挟んで対向する一対の分布ブラッグ反射器と、第1の電極から活性層へ到達する正孔通路と、第2の電極から活性層へ到達する電子通路とを備えた面発光レーザ素子において、
前記正孔通路の途中には、イオン注入によって設けられた高抵抗領域と前記高抵抗領域によって囲まれた導通領域とによって構成された、前記活性層への正孔注入領域を規定する正孔狭窄構造が設けられ、また、前記正孔狭窄構造とは別に、Alを構成元素として含む半導体層を選択酸化してなる選択酸化領域と前記選択酸化領域によって囲まれた非酸化領域とによって構成された高次横モード抑制構造が設けられており、前記高次横モード抑制構造の非酸化領域は、前記正孔狭窄構造の導通領域よりも小さな面積を有している事を特徴とする面発光レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (19件)：
2C362AA03
, 2C362AA07
, 2C362AA13
, 2C362BA60
, 5F073AA55
, 5F073AA74
, 5F073AB03
, 5F073AB17
, 5F073BA01
, 5F073BA09
, 5F073CA04
, 5F073CB02
, 5F073CB06
, 5F073DA05
, 5F073DA14
, 5F073DA24
, 5F073DA27
, 5F073EA18
, 5F073EA29
